| 发明名称 | 磁性材料溅射靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种磁性材料溅射靶，其为含有氧化物的磁性材料溅射靶，其特征在于，氧化物的平均粒径为400nm以下。一种含有氧化物的磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，通过PVD或CVD法在基板上将磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后的磁性材料粉碎而得到靶用原料，然后将该原料烧结。本发明的课题在于得到能够抑制导致溅射时产生粉粒的氧化物的异常放电的磁性材料靶、特别是非磁性材料颗粒分散型强磁性材料溅射靶。 | ||
| 申请公布号 | CN104169457A | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201380013940.8 | 申请日期 | 2013.02.26 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 荻野真一;中村祐一郎 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22C1/05(2006.01)I;C22C5/04(2006.01)I;C22C19/07(2006.01)I;C22C32/00(2006.01)I;C22C33/02(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;G11B5/64(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种磁性材料溅射靶，其为含有氧化物的磁性材料溅射靶，其特征在于，氧化物的平均粒径为400nm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||