基于光电催化分解水制氢的碳化硅纳米线薄膜制备方法

摘要

本发明公开了一种基于光电催化分解水制氢的碳化硅纳米线薄膜制备方法。以碳源和硅源为反应原料；将反应原料置于高纯石墨坩埚中，将SiC纳米线生长基底置于坩埚内作为SiC纳米线生长基底，放入高温炉内烧结；随炉冷却，即得SiC纳米线薄膜；以该薄膜的碳材料为工作电极，金属铂片为对电极，Ag/Ag⁺电极为参比电极，以0.1M稀硫酸为电解液，在可见光下施加0~3V的电压；该薄膜在光电催化作用下有分解水制氢性能。薄膜生长均匀，且不易于基底剥落；拥有光电分解水制氢功能，且高效节能；该方法工艺简单、成本低廉、原料易得、无污染且能对产物形貌进行有效控制。

主权项

一种基于光电催化分解水制氢的碳化硅纳米线薄膜制备方法，其特征在于：采用碳源和硅源为反应原料；将反应原料置于高纯石墨坩埚中，分别将石墨纸、石墨片、玻璃碳片或碳纤维板置于坩埚内作为SiC纳米线生长基底，加上坩埚盖子并放入高温炉内；升温到1400～1700℃，保温烧结1～10h；随炉自然冷却至常温，开炉即得石墨纸、石墨片、玻璃碳片或碳纤维板基SiC纳米线薄膜；以生长有碳化硅纳米线薄膜的碳材料为工作电极，以金属铂片为对电极，以Ag/Ag⁺电极为参比电极，以0.1M稀硫酸为电解液，在可见光下施加0~3V的电压；该SiC纳米线薄膜在光电催化作用下有分解水制氢性能。