通过插入界面原子单层改进与IV族半导体的金属接触

摘要

本公开案提供通过在金属与半导体之间的界面插入V族或III族原子单层，或插入各自由单层形成的双层，或插入多个所述双层，减少金属-半导体(IV族)结的比接触电阻的技术。所得的低比电阻金属-IV族半导体结应用为半导体设备中的低电阻电极，所述半导体设备包括电子设备(例如晶体管、二极管等)和光电设备(例如激光器、太阳能电池、光电探测器等)，及/或应用为场效应晶体管(field effect transistor；FET)中的金属源区及/或金属漏区(或者所述金属源区及/或金属漏区的一部分)。III族原子单层和V族原子单层主要为有序的原子层，所述原子层形成于IV族半导体的表面并与IV族半导体的表面原子化学结合。

主权项

一种电接触，所述电接触包含由V族原子单层、(ii)III族原子单层或(iii)一或多个双层中的一者分隔的金属和IV族半导体，每个双层由所述金属与所述IV族半导体之间的界面处的一个V族原子单层和一个III族原子单层构成，每个V族原子与III族原子的双层的所述V族原子单层或所述III族原子单层的所述原子与所述半导体的晶格结构成外延对齐。