发明名称 一种增加铝背场面积的方法
摘要 本发明公开了一种增加铝背场面积的方法,在PEARC步骤与丝网印刷步骤之间,在硅片背面利用激光技术开设槽体,以增加铝背场面积。本发明开槽技术使得铝背场深入到硅片内部,增加了铝背场的有效面积,提高了开路电压和短路电流,且提高了电池的光电转换效率。<b />
申请公布号 CN104167467A 申请公布日期 2014.11.26
申请号 CN201410295662.6 申请日期 2014.06.27
申请人 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 发明人 郝彦磊;福克斯·斯蒂芬;蒋方丹;金浩;郭俊华;陈康平
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人 吴关炳
主权项 一种增加铝背场面积的方法,其特征在于:在PEARC步骤与丝网印刷步骤之间,在硅片背面利用激光技术开设槽体(1),以增加铝背场面积。
地址 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业区袁溪路58号