| 发明名称 | 利用单晶硅和/或其它材料形成的用于光学和其它应用的结构 | ||
| 摘要 | 一种光学插入件，包括用于耦接到换能器(120)的波导104(例如，光纤线缆)的槽(310)。通过在衬底(130)中蚀刻腔(410)，以某些层(520)填充所述腔，然后蚀刻所述层来形成槽。所述槽可以形成在分立结构中，然后将该分立结构插入到具有用于换能器的电路的插入件中的腔中。所述腔具有向外或向内倾斜的侧壁，其可以作为反射镜(144)或者后来在其上形成反射镜。衬底可以将单晶硅，其中通过不同蚀刻的组合形成所述向内倾斜的(退行)侧壁，所述组合中的至少一个是相对于特定晶面选择性的。还提供了其它特征，包括非光学实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN104169768A | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201380013259.3 | 申请日期 | 2013.01.07 |
| 申请人 | 伊文萨斯公司 | 发明人 | V·科森科;E·L·麦克拜恩;C·E·乌佐;P·蒙纳德吉米;S·萨瓦斯蒂奥科 |
| 分类号 | G02B6/42(2006.01)I;G02B6/36(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种衬底，其包括单晶硅区域，所述区域包括：第一表面，其是单晶硅的晶面；以及第二表面，其是单晶硅的晶面；其中所述第一表面和第二表面以135°或125.3°的角度彼此相遇，所述角度是通过单晶硅所占据的空间测量的。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||