发明名称 |
一种磁控溅射设备及方法 |
摘要 |
本发明提供一种磁控溅射设备及方法,用于在磁控溅射沉积后,对沉积在被加工工件表面的薄膜层表面进行轰击,使其表面粗糙化;磁控溅射设备包括反应腔室、溅射电源、基座、靶材、轰击气源和偏压单元,溅射电源与靶材电连接,用以向靶材输出溅射功率;轰击气源用于在完成磁控溅射沉积之后向反应腔室内通入不与沉积在被加工工件表面上的薄膜发生反应的轰击气体,并由偏压单元和/或溅射电源将轰击气体激发形成等离子体;偏压单元用于向基座加载负偏压,以使等离子体轰击被加工工件上经过磁控溅射沉积后形成的薄膜表面。本发明提供的磁控溅射设备,其可以避免出现金属电极层剥落的问题,且不仅生产投入成本较低,而且可以保持原有的工艺流程基本不变。 |
申请公布号 |
CN104164653A |
申请公布日期 |
2014.11.26 |
申请号 |
CN201310185242.8 |
申请日期 |
2013.05.17 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
陈鹏;耿波 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;张天舒 |
主权项 |
一种磁控溅射设备,其特征在于,用于在磁控溅射沉积后,对沉积在被加工工件表面上的薄膜层表面进行轰击,以使该表面粗糙化;所述磁控溅射设备包括反应腔室、溅射电源、基座、靶材,以及轰击气源和偏压单元,其中:所述溅射电源与所述靶材电连接,用以向所述靶材输出溅射功率;所述轰击气源用于在完成磁控溅射沉积之后向所述反应腔室内通入不与沉积在所述被加工工件表面上的薄膜发生反应的轰击气体,并由所述偏压单元和/或所述溅射电源将所述轰击气体激发形成等离子体;所述偏压单元用于向所述基座加载负偏压,以使所述等离子体轰击所述被加工工件表面上经过磁控溅射沉积后形成的所述薄膜表面。 |
地址 |
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 |