| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成假栅极堆叠；在假栅极堆叠侧面形成非晶或者多晶结构的前驱层；退火，使得前驱层转变为单晶结构的种晶层；对种晶层掺杂形成源漏区。依照本发明的半导体器件制造方法，利用精细线条的假栅极堆叠两侧的前驱层退火形成单晶的种晶层，掺杂形成源漏区，由此形成了超薄SOI半导体器件，实现了器件的小型化，提高了器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104167359A | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201310185048.X | 申请日期 | 2013.05.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 唐兆云;闫江;唐波;许静;王红丽 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成假栅极堆叠；在假栅极堆叠侧面形成非晶或者多晶结构的前驱层；退火，使得前驱层转变为单晶结构的种晶层；对种晶层掺杂形成源漏区。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||