发明名称 一种基于等离子刻蚀制备钛纳米柱结构的方法
摘要 本发明涉及一种基于等离子刻蚀制备钛纳米柱结构的方法。该方法直接对金属钛片表面进行等离子体处理,通过控制调节等离子刻蚀制备钛纳米柱结构的工艺参数,包括平板功率、刻蚀时间、线圈功率、刻蚀气体流量、反应室压强、温度,在无需任何纳米尺度光刻工艺的条件下即可在金属钛表面生成大面积、高密度的纳米柱阵列结构。其中等离子体刻蚀系统的平板功率为50~150W。该制备钛纳米柱结构的方法效率高、成本低,且能够与其他微加工工艺相容。
申请公布号 CN104163397A 申请公布日期 2014.11.26
申请号 CN201410342430.1 申请日期 2014.07.17
申请人 北京大学 发明人 陈兢;李男男;朱宁莉
分类号 B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人 周政
主权项 一种基于等离子刻蚀制备钛纳米柱结构的方法,其步骤包括:1)将钛片放入等离子体刻蚀系统反应室,然后对反应室抽真空并通入刻蚀气体;2)设定等离子体刻蚀系统的平板功率为50~150W,利用等离子体与钛片反应进行刻蚀,得到钛纳米柱结构。
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