| 发明名称 | finFET结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种finFET结构，所述finFET结构包括为多个finFET形成的多个鳍部，所述多个鳍部的第一部分由与所述第一部分相邻的支撑结构支撑，所述第一部分在所述多个鳍部与衬底之间的空隙之上。 | ||
| 申请公布号 | CN203967092U | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201420017133.5 | 申请日期 | 2014.01.09 |
| 申请人 | 意法半导体公司;国际商业机器公司 | 发明人 | 柳青;王俊利 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种finFET结构，其特征在于，所述finFET结构包括为多个finFET形成的多个鳍部，所述多个鳍部的第一部分由与所述第一部分相邻的支撑结构支撑，所述第一部分在所述多个鳍部与衬底之间的空隙之上。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||