| 发明名称 | 一种半浮栅功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种半浮栅功率器件。该半浮栅功率器件包括一个氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管；一个二极管，该二极管的阳极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该二极管的阴极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的源极或沟道区连接；一个电容器，该电容器的一端与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该电容器的另一端与外部电压信号连接。本发明的半浮栅功率器件结构简单，适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104167450A | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201410403932.0 | 申请日期 | 2014.08.17 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 王鹏飞;刘晓勇;黄泓帆;张卫 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种半浮栅功率器件，包括一个氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管，其特征在于，还包括：一个二极管，该二极管的阳极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该二极管的阴极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的源极或沟道区连接；一个电容器，该电容器的一端与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该电容器的另一端与外部电压信号连接。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||