发明名称 制备铸造单晶硅的装置及方法
摘要 一种制备铸造单晶硅的装置,包括炉体、引晶组件、气体导流筒、安装在所述炉体中的隔热组件、放置在所述隔热组件内的坩埚及加热器,所述气体导流筒的一端穿插于所述隔热组件,另一端延伸至所述炉体外,所述引晶组件包括用于夹持籽晶的夹持头及用于驱动所述夹持头的驱动件,所述夹持头位于所述坩埚的上方。采用上述制备铸造单晶硅的装置制备铸造单晶硅的成本较低。本发明还提供一种制备铸造单晶硅的方法。
申请公布号 CN102534748B 申请公布日期 2014.11.26
申请号 CN201210024456.2 申请日期 2012.02.03
申请人 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司;江苏协鑫软控设备科技发展有限公司 发明人 武鹏;胡亚兰
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B11/00(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 何平
主权项 一种制备铸造单晶硅的装置,包括炉体、安装在所述炉体中的隔热组件、放置在所述隔热组件内的坩埚及加热器,所述隔热组件包括环绕所述坩埚四周的侧隔热笼、分别设置于所述侧隔热笼两端的下隔热板及顶隔热板,其特征在于,所述制备铸造单晶硅的装置还包括引晶组件及气体导流筒,所述气体导流筒的一端穿插于所述隔热组件,所述气体导流筒的另一端延伸至所述炉体外,所述引晶组件包括用于夹持籽晶的夹持头及用于驱动所述夹持头的驱动件,所述夹持头位于所述坩埚的上方。
地址 221004 江苏省徐州市经济开发区杨山路88号