发明名称 形成间隔物图案掩模的方法
摘要 本发明公开了形成间隔物图案掩模的方法,包括:提供衬底并依次沉积界面层、芯膜和第一硬掩模;对芯膜和第一硬掩模进行图案化以形成中间图案;沉积间隔物图案掩模,以覆盖中间图案中的芯膜和第一硬掩模;以中间图案中的第一硬掩模为停止层对间隔物图案掩模进行平坦化;对平坦化后的间隔物图案掩模进行回刻蚀;沉积第二硬掩模;对第二硬掩模进行干法刻蚀,以露出回刻蚀后的间隔物图案掩模;对露出的间隔物图案掩模进行干法刻蚀,以形成间隔物图案;依次去除剩下的第一硬掩模和第二硬掩模和芯膜,得到最终的间隔物图案掩模。
申请公布号 CN104167348A 申请公布日期 2014.11.26
申请号 CN201310183224.6 申请日期 2013.05.17
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 王新鹏;张海洋
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 王莉莉
主权项 一种形成间隔物图案掩模的方法,包括下列步骤:提供衬底并在衬底上依次沉积界面层、芯膜和第一硬掩模;对芯膜和第一硬掩模进行图案化以形成中间图案,在该中间图案中芯膜和第一硬掩模的条宽根据最终的间隔物图案掩模之间的间隔来确定;沉积间隔物图案掩模,以覆盖中间图案中的芯膜和第一硬掩模;以中间图案中的第一硬掩模为停止层对间隔物图案掩模进行平坦化;对平坦化后的间隔物图案掩模进行回刻蚀,回刻蚀的量根据最终的间隔物图案掩模的宽度来确定;沉积第二硬掩模;对第二硬掩模进行干法刻蚀,以露出回刻蚀后的间隔物图案掩模,剩下的第二硬掩模之间的间隔根据最终的间隔物图案掩模之间的间隔来确定;对露出的间隔物图案掩模进行干法刻蚀,以形成间隔物图案;去除剩下的第一硬掩模和第二硬掩模;以及去除中间图案中的芯膜,从而得到最终的间隔物图案掩模。
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