发明名称 |
一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,栅绝缘层设置在栅极和有源层之间,源极和漏极分别对应设置在有源层的两端,有源层采用金属氮氧化物材料形成,还包括能导电的氧空位削减层,氧空位削减层设置在有源层与源极之间,和/或氧空位削减层设置在有源层与漏极之间,用于对有源层中的氧空位进行削减。该薄膜晶体管通过设置氧空位削减层,使有源层中氧空位的数量大大减少,从而提高了载流子的传输速率,同时还降低了薄膜晶体管的亚阈值摆幅,进而大大提升了薄膜晶体管的导通性能。 |
申请公布号 |
CN104167446A |
申请公布日期 |
2014.11.26 |
申请号 |
CN201410334219.5 |
申请日期 |
2014.07.14 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
王美丽;辛龙宝 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;陈源 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,所述栅绝缘层设置在所述栅极和所述有源层之间,所述源极和所述漏极分别对应设置在所述有源层的两端,所述有源层采用金属氮氧化物材料形成,其特征在于,还包括能导电的氧空位削减层,所述氧空位削减层设置在所述有源层与所述源极之间,和/或所述氧空位削减层设置在所述有源层与所述漏极之间,用于对所述有源层中的氧空位进行削减。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |