发明名称 |
一种采用有源跨导增强和噪声抵消技术的差分低功耗低噪声放大器 |
摘要 |
本发明提供了一种采用有源跨导增强和噪声抵消技术的差分低功耗低噪声放大器,其包括主共栅放大级(1)、有源跨导增强的放大级(2)、平衡非平衡变压器(3)和负载阻抗(4)。本发明采用有源跨导增强级和主共栅放大级级联的方式,对主共栅放大管的跨导进行了增强,另外对有源跨导增强的放大管也采用跨导增强技术,用低功耗实现较高的等效跨导;当第一级和第二级放大电路有相同的增益时可以抑制主共栅放大级的噪声贡献。采用差分结构使得电路对环境噪声有更强的干扰能力。本发明通过跨导二次增强和噪声抵消技术的结合,实现了低噪声系数和低功耗。 |
申请公布号 |
CN104167993A |
申请公布日期 |
2014.11.26 |
申请号 |
CN201410431317.0 |
申请日期 |
2014.08.28 |
申请人 |
中国科学技术大学 |
发明人 |
张蓉;孙景业;刁盛锡;傅忠谦;林福江 |
分类号 |
H03F1/26(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 |
代理人 |
李新华;顾炜 |
主权项 |
一种采用有源跨导增强和噪声抵消技术的差分低功耗低噪声放大器,其特征在于,包括主共栅放大级(1)、有源跨导增强的放大级(2)、平衡非平衡变压器(3)和负载阻抗(4);输入信号从平衡非平衡变压器(3)的输入端口进入,其差分输出端口既与有源跨导增强的放大级(2)的源端和主共栅放大级(1)的源端直接耦合,也通过电容耦合到有源跨导增强的放大级(2)的栅端;有源跨导增强的放大级(2)采用NMOS和PMOS的对称结构,并且NMOS结构采用了cascode形式;有源跨导增强的放大级(2)的漏端通过电容耦合至主共栅放大级(1)的栅极;负载阻抗(4)与主共栅放大级(1)和有源跨导增强的放大级(2)的cascode管的漏极相接;电路的输出端位于主共栅放大级(1)的漏极。 |
地址 |
230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号 |