研磨方法

摘要

本发明涉及一种研磨方法，其具有以下工序：准备基板的工序，该基板具有(1)作为阻止层的氮化硅、和位于比该阻止层更靠近被研磨面侧位置的至少一部分(2)布线金属及至少一部分(3)绝缘材料；研磨工序，供给化学机械研磨液，对上述被研磨面侧的(2)布线金属及(3)绝缘材料进行研磨；以及停止研磨的工序，在(1)氮化硅露出且被完全除去之前停止研磨，其中，上述化学机械研磨液包含(A)(a)阴离子性且不包含疏水性取代基的单体与(b)包含疏水性取代基的单体的共聚物、(B)磨粒、(C)酸、(D)氧化剂及(E)液状介质，(B)成分具有在化学机械研磨液中为+10mV以上的ζ电位，(A)成分的共聚比(a)∶(b)以摩尔比计为25∶75～75∶25，且该化学机械研磨液的pH值为5.0以下。由此，能够以高研磨速度除去金属和层间绝缘膜，并且能够以高选择比对层间绝缘膜和阻止层进行研磨，从而制造尺寸精度高的半导体设备。

主权项

一种研磨方法，其具有以下工序：准备基板的工序，所述基板具有作为阻止层的氮化硅、布线金属及绝缘材料，且在比所述阻止层更靠近被研磨面侧的位置具有至少一部分所述布线金属及至少一部分所述绝缘材料；研磨工序，向所述基板的被研磨面与研磨垫之间供给化学机械研磨液，对位于比所述氮化硅更靠近被研磨面侧位置的所述布线金属及所述绝缘材料进行研磨；以及停止研磨的工序，在所述氮化硅露出且所述氮化硅被完全除去之前停止研磨，所述化学机械研磨液含有：(A)(a)阴离子性且不包含疏水性取代基的单体与(b)包含疏水性取代基的单体的共聚物、(B)磨粒、(C)酸、(D)氧化剂、及(E)液状介质，所述(B)成分具有在化学机械研磨液中为+10mV以上的ζ电位，所述(A)成分中的(a)与(b)的共聚比(a)∶(b)以摩尔比计为25∶75～75∶25，且所述化学机械研磨液的pH值为5.0以下。