| 发明名称 | 自支撑(Al, Ga, In)N制品及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了自支撑(Al，Ga，In)N制品及其形成方法。形成自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)的方法的步骤包括：提供外延相容的牺牲模板(12)；在模板(12)上沉积单晶(Al，Ga，In)N材料(16)，形成牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品(10)，其中包括牺牲模板(12)与(Al，Ga，In)N材料(16)之间的界面(14)；以及对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品(10)进行界面改性，使牺牲模板(12)与(Al，Ga，In)N材料(16)分离并得到自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)，通过这种方法制造的自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)具有优异的形态特征，并且适于用作基体，例如，用于制造微电子和/或光电装置以及装置的先驱结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102383193B | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201110301148.5 | 申请日期 | 2002.08.12 |
| 申请人 | 克利公司 | 发明人 | 罗伯特·P·沃多;乔治·R·布兰德斯;迈克尔·A·蒂施勒;迈克尔·K·凯利 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李丙林;张英 |
| 主权项 | 一种形成自支撑(Al,Ga,In)N制品的方法，包括以下步骤：在外延相容的牺牲模板上沉积单晶(Al,Ga,In)N材料，以形成包括牺牲模板和(Al,Ga,In)N材料之间界面的牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品；和对牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品进行界面改性以便将牺牲模板与(Al,Ga,In)N材料分离，并得到自支撑(Al,Ga,In)N制品，其中对牺牲模板/(Al,Ga,In)N复合制品进行界面改性的步骤包括用激光束能量冲击界面，并监视激光能量的反射率，用于控制界面改性；其中，所述激光束能量具有的光子能量大于(Al,Ga,In)N材料和牺牲模板材料中一种材料的能带隙，并小于另一种材料的能带隙；以及其中，所述激光束能量的入射角不能太小而使得所述激光束能量在冲击所述界面之前被干涉表面反射。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||