发明名称 一种电子束快速成型制造设备偏扫系统
摘要 本实用新型涉及一种电子束快速成型制造设备偏扫系统,包括偏扫装置、s绕组电源、t绕组电源和计算机控制单元;电子束快速成型制造设备采用磁场偏扫,所述偏扫装置为圆柱状结构,安装于电子枪电子束出口的部位,所述s绕组电源,其与所述s绕组连接;所述t绕组电源,其与所述t绕组连接;所述计算机控制单元分别与s绕组电源、t绕组电源连接。相对现有技术,本实用新型能降低磁场的动态损耗,引入动态补偿功能抑制全磁路动态附加损耗对偏扫精度的影响。
申请公布号 CN203965881U 申请公布日期 2014.11.26
申请号 CN201420440636.3 申请日期 2014.08.06
申请人 桂林狮达机电技术工程有限公司 发明人 韦寿琪;黄小东;费翔;陆思恒;郭华艳;陆苇
分类号 G05B19/18(2006.01)I 主分类号 G05B19/18(2006.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 杨立
主权项 一种电子束快速成型制造设备偏扫系统,其特征在于:包括偏扫装置(10)、s绕组电源(4)、t绕组电源(5)和计算机控制单元;电子束快速成型制造设备采用磁场偏扫,所述偏扫装置(10)为圆柱状结构,安装于电子枪电子束(11)出口的部位,包括导磁框架(1)、偏扫绕组(2)和电子束通道(3),所述导磁框架(1)呈圆环状,内壁开有均匀分布的绕组槽,所述偏扫绕组(2)包括所述s绕组(2‑1)和t绕组(2‑2),所述s绕组(2‑1)和t绕组(2‑2)均设置于导磁框架(1)的绕组槽内,所述s绕组(2‑1)和t绕组(2‑2)在垂直电子束通道方向的平面上呈对称分布即它们轴线相差90度,所述s绕组(2‑2)和t绕组(2‑1)在该平面上分别按正弦和余弦分布绕制,所述电子束通道(3)置于所述偏扫绕组(2)内圆内,导磁框架(1)由导磁材料粉末和有机绝缘胶的组合材料制成;所述s绕组电源(4),其与所述s绕组(2‑1)连接,将给定电压信号<img file="FDA0000550024860000011.GIF" wi="74" he="82" />及其变化率进行线性组合作为总给定信号,总给定信号与取样电压信号U<sub>s</sub>通过比较和放大处理后,调整输出电压,向s绕组输出s绕组电流I<sub>s</sub>;所述t绕组电源(5),其与所述t绕组(2‑2)连接,将给定电压信号<img file="FDA0000550024860000012.GIF" wi="74" he="82" />及其变化率进行线性组合作为总给定信号,总给定信号与取样电压信号U<sub>t</sub>通过比较和放大处理后,调整输出电压,向t绕组输出t绕组电流I<sub>t</sub>;所述计算机控制单元承担电子束快速成型制造设备的总控任务,其分别与s绕组电源(4)、t绕组电源(5)连接,分别向s绕组电源(4)和t绕组电源(5)输出给定电压信号<img file="FDA0000550024860000013.GIF" wi="68" he="86" />和<img file="FDA0000550024860000014.GIF" wi="106" he="87" />
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