| 发明名称 | 等离子体处理装置及其射频屏蔽装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种等离子体处理装置及其射频屏蔽装置，其中，所述等离子体处理装置包括一放置基片的基台，所述射频屏蔽装置设置于所述基台下方，其特征在于，所述射频屏蔽装置包括：桶状的内壳和外壳，所述内壳放置于外壳之中；至少一屏蔽板，其设置于所述内壳之中，用以隔离容纳于所述内壳中的若干导线，其中，所述内壳是导电材料制成的，射频功率源能量通过所述内壳连接至所述等离子体处理装置。本发明能够避免射频屏蔽装置中温度控制导线和直流电源导线等组件的相互串扰。 | ||
| 申请公布号 | CN104167343A | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201310183046.7 | 申请日期 | 2013.05.17 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 陈妙娟;罗伟义;倪图强 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种用于等离子体处理装置的射频屏蔽装置，其中，所述等离子体处理装置包括一放置基片的基台，所述射频屏蔽装置设置于所述基台下方，其特征在于，所述射频屏蔽装置包括：桶状的内壳和外壳，所述内壳放置于外壳之中；至少一屏蔽板，其设置于所述内壳之中，用以隔离容纳于所述内壳中的若干导线，其中，所述内壳是导电材料制成的，射频功率源能量通过所述内壳连接至所述等离子体处理装置。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||