| 发明名称 | 防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，该晶圆的表面上形成有钝化层，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶，该曝光后的负光刻胶在刻蚀部分所述钝化层形成焊盘的过程中保护所述钝化层的边缘不被刻蚀。本发明的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法有效防止晶圆边缘产生镀金属剥离。 | ||
| 申请公布号 | CN101916722B | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201010235623.9 | 申请日期 | 2010.07.23 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 李乐 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，该晶圆的表面上形成有钝化层，其特征在于，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶，该曝光后的负光刻胶在刻蚀部分所述钝化层形成焊盘的过程中保护所述钝化层的边缘不被刻蚀；其中，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶的具体步骤是，在所述钝化层的表面上涂覆负光刻胶；通过晶圆边缘曝光将所述钝化层边缘表面上的负光刻胶曝光；通过显影去除所述钝化层表面上的未曝光的负光刻胶，在所述钝化层边缘的表面上形成负光刻胶环；在所述钝化层边缘的表面上形成负光刻胶环后，在所述钝化层的表面上涂覆正光刻胶，所述负光刻胶环包围着所述正光刻胶。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||