发明名称 |
半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体器件的制造方法。提供一种制造半导体器件的方法,所述半导体器件具有这样的结构:半导体芯片(3)被安装在布线电路衬底(2)上并且用树脂进行密封。以使得布线电路衬底(2)可以与金属支撑层(1)分离的方式在金属支撑层上形成具有可以连接到所述芯片的电极的连接导体部分的布线电路衬底(2),所述芯片(3)安装在所述布线电路衬底(2)上,片状树脂组合物(T)被放置在芯片上并且在芯片上被加热以密封该芯片,并且金属支撑层被分离并且被分割以获得单独的半导体器件。 |
申请公布号 |
CN102097341B |
申请公布日期 |
2014.11.26 |
申请号 |
CN201010587554.8 |
申请日期 |
2010.12.10 |
申请人 |
日东电工株式会社 |
发明人 |
小田高司;丰田英志;襖田光昭 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;C08L61/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李娜;蒋骏 |
主权项 |
一种制造半导体器件的方法,所述半导体器件具有这样的结构:其中半导体芯片被连接到再布线层并且用树脂进行密封,其中所述方法包括以下步骤:在金属支撑层上以使得具有能够连接到所述半导体芯片的电极的连接导体部分的布线电路衬底能够与所述金属支撑层分离并且使得所述连接导体部分位于所述布线电路衬底的上表面侧上的方式形成具有所述连接导体部分的所述布线电路衬底,其中所述布线电路衬底用作所述再布线层,连接用作所述再布线层的所述布线电路衬底的所述连接导体部分和所述半导体芯片的所述电极,以把所述半导体芯片安装在所述布线电路衬底上,在被安装在所述布线电路衬底上的所述半导体芯片上放置由密封树脂组合物制成的片状树脂组合物,并且加热所述片状树脂组合物以利用所述密封树脂组合物密封所述半导体芯片,以及在密封后使所述金属支撑层与所述布线电路衬底分离。 |
地址 |
日本大阪府茨木市下穗积1丁目1番2号 |