| 发明名称 |
基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料 |
| 摘要 |
本发明提供了一种基于半导体的超材料制备方法，该方法包括：在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上涂覆一层光刻胶；以具有预设微结构阵列的模板作为掩膜板对所述光刻胶进行光刻；根据预设电磁参数，在半导体层中掺入杂质；去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶，获得超材料。本发明实施例还提供了一种基于半导体的超材料。以得到微结构可控性能更高、也更符合设计要求的超材料。 |
| 申请公布号 |
CN102800971B |
申请公布日期 |
2014.11.26 |
| 申请号 |
CN201110145760.8 |
申请日期 |
2011.06.01 |
| 申请人 |
深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
发明人 |
刘若鹏;赵治亚;缪锡根;杨宗荣 |
| 分类号 |
H01Q15/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01Q15/00(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种基于半导体的超材料制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上涂覆一层光刻胶；以具有预设微结构阵列的模板作为掩膜板对所述光刻胶进行光刻；将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述半导体层上；根据预设电磁参数，在半导体层中掺入杂质；去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶，获得超材料。 |
| 地址 |
518000 广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦 |
