| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，具备：主元件，具有绝缘栅极双极性晶体管构造；和感应元件，具有回授电容比上述主元件大的绝缘栅极双极性晶体管构造。上述主元件连接在集电极端子与发射极端子之间。上述感应元件经由感应电阻相对于上述主元件并联连接在上述集电极端子与上述发射极端子之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102544003B | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201110351467.7 | 申请日期 | 2011.11.08 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 松下宪一 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐冰冰;黄剑锋 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：主元件，连接在集电极端子与发射极端子之间，具有绝缘栅极双极性晶体管构造；以及感应元件，经由感应电阻相对于上述主元件并联连接在上述集电极端子与上述发射极端子之间，具有回授电容比上述主元件大的绝缘栅极双极性晶体管构造。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||