MOS器件的建模方法

摘要

本发明提供了一种MOS器件的建模方法，所述MOS器件在源端包括第一类型的STI结构，在漏端包括第二类型的STI结构，该方法包括：a）建立定义器件的沟道区到第一类型的STI结构的距离以及到第二类型的STI结构的距离的一组参数；b）建立所述一组参数对迁移率的影响的解析模型，所述解析模型包含待确定的系数；c）对在源端和漏端都包含第一类型的STI结构的第一类型MOS器件和在源端和漏端都包含第二类型的STI结构的第二类型MOS器件进行测试，获得测试数据；d）根据所述测试数据确定所述解析模型的系数。本发明提供的建模方法，简单易行，可操作性强，有较广的适用范围。

主权项

一种mos器件的建模方法，所述mos器件在源端包括第一类型的sti结构，在漏端包括第二类型的sti结构，该方法包括：A)建立定义器件的沟道区到第一类型的sti结构的距离以及到第二类型的sti结构的距离的一组参数；B)建立所述一组参数对迁移率的影响的解析模型，所述解析模型包含待确定的系数；C)对在源端和漏端都包含第一类型的sti结构的第一类型mos器件和在源端和漏端都包含第二类型的sti结构的第二类型mos器件进行测试，获得测试数据；D)根据所述测试数据确定所述解析模型的系数；通过以下公式对有效迁移率μ_eff建模：$u_{\mathrm{eff}}=\frac{1+r_{\mathrm{ueff}}(\mathrm{SA},\mathrm{SB})}{1+r_{\mathrm{ueff}}({\mathrm{SA}}_{\mathrm{ref}},{\mathrm{SB}}_{\mathrm{ref}})}{u}_{\mathrm{eff}0},$其中$r_{\mathrm{ueff}}(\mathrm{SA},\mathrm{SB})=\frac{\mathrm{KU}1}{\mathrm{Kstress}\_u1}*\frac{1}{\mathrm{SA}}+\frac{\mathrm{KU}2}{\mathrm{Kstress}\_u2}*\frac{1}{\mathrm{SB}},$其中SA为器件的沟道区到第一类型的STI为认为sti应力的影响基本为零的较大的尺寸；SA_ref和SB_ref、SA和SB的单位为um；μ_eff0为SA＝SA_ref且SB＝SB_ref时测量的迁移率，ku1和kstress_u1以及ku2和kstress_u2为待确定的系数；r_ueff是栅在x方向距两侧STI隔离区边界的距离的函数，其单位为1/um。