三维NAND存储器的制造方法

摘要

本发明揭示了一种三维NAND存储器的制造方法。该方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成多层层叠结构，所述层叠结构包括第一材料层和第二材料层；刻蚀所述层叠结构形成通孔，暴露出半导体基底；在所述通孔中形成无定型硅层；刻蚀所述层叠结构以打开字线开口；去除层叠结构中的第二材料层，暴露出无定型硅层侧壁；在第一材料层表面和暴露出的无定型硅层侧壁进行ONO层的沉积；以及进行退火处理。本发明中直到ONO层沉积后才进行退火工艺，保证了ONO层沉积时无定型硅层表面的平滑，从而使得ONO层质量提高，进而改善了制得的三维NAND存储器的性能。

主权项

一种三维NAND存储器的制造方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成多层层叠结构，所述层叠结构包括第一材料层和第二材料层；刻蚀所述层叠结构形成通孔，暴露出半导体基底；在所述通孔中形成无定型硅层；刻蚀所述层叠结构以打开字线开口；去除层叠结构中的第二材料层，暴露出无定型硅层侧壁；在第一材料层表面和暴露出的无定型硅层侧壁进行ONO层的沉积；以及进行退火处理。