半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件(100A)具备：栅极电极(3)和栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含半导体区域(51)和与半导体区域(51)接触的第一导电体区域(55)，半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；覆盖半导体区域(51)的上表面的保护层(8b)；与半导体区域(51)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和以隔着电介质层与第一导电体区域(55)的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)，漏极电极(6d)与第一导电体区域(55)接触，在从基板的法线方向看时，保护层(8b)的端部与漏极电极(6d)的端部、源极电极(6s)的端部或栅极电极(3)的端部大致对齐，半导体区域(51)与第一导电体区域(55)的边界的至少一部分，与保护层(8b)的端部大致对齐。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具备：基板；在所述基板之上形成的栅极电极；在所述栅极电极之上形成的栅极绝缘层；氧化物层，其形成在所述栅极绝缘层之上，包含半导体区域和与所述半导体区域接触的第一导电体区域，所述半导体区域的至少一部分隔着所述栅极绝缘层与所述栅极电极重叠；覆盖所述半导体区域的上表面的保护层；与所述半导体区域电连接的源极电极和漏极电极；和以隔着电介质层与所述第一导电体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极，所述漏极电极与所述第一导电体区域接触，在从所述基板的法线方向看时，所述保护层的端部与所述漏极电极的端部、所述源极电极的端部或所述栅极电极的端部大致对齐，所述半导体区域与所述第一导电体区域的边界的至少一部分与所述保护层的端部大致对齐。