薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源区、源极和漏极，有源区采用ZnON材料形成，在形成有源区的同时对有源区进行氮离子注入，以使薄膜晶体管的亚阈值摆幅≤0.5mV/dec。该制备方法通过在形成有源区的同时对有源区进行氮离子注入，使有源区中处于有效导电位置的氮离子浓度大大提高，由此使得薄膜晶体管工作时，有源区因为扩散效应而损失的氮元素能够得到足够的补充，从而大大提高了有源区中氮空位的迁移率，也即大大提高了有源区中载流子的迁移率，进而降低了薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提升了薄膜晶体管的半导体特性。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源区、源极和漏极，所述有源区采用ZnON材料形成，其特征在于，在形成所述有源区的同时对所述有源区进行氮离子注入，以使所述薄膜晶体管的亚阈值摆幅≤0.5mV/dec。