发明名称 |
一种测量装置及镀膜设备 |
摘要 |
本发明公开了一种测量装置及镀膜设备。该测量装置包括:第一石英晶振片,在镀膜过程中一起被镀膜;第二石英晶振片,和第一石英晶振片相同,在镀膜的过程中被遮挡,不会被镀膜;激励源产生单元,用于产生并输出交变电流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片测试单元;第一计算模块,用于根据所述第一石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第一响应信号计算频率变化初始值;第二计算模块,用于根据所述第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算频率变化修正值;第三计算模块,用于利用所述频率变化修正值修正所述频率变化初始值得到的频率变化目标值计算膜层厚度。本发明提高了膜厚测量精度。 |
申请公布号 |
CN104165573A |
申请公布日期 |
2014.11.26 |
申请号 |
CN201410301568.7 |
申请日期 |
2014.06.26 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
发明人 |
吴海东;马群 |
分类号 |
G01B7/06(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I |
主分类号 |
G01B7/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静;黄灿 |
主权项 |
一种测量装置,用于测量一待镀膜模组上产生的膜层的厚度,其特征在于,所述测量装置包括:第一石英晶振片,在镀膜过程中一起被镀膜;第二石英晶振片,和第一石英晶振片相同,在镀膜的过程中被遮挡,不会被镀膜;激励源产生单元,用于产生并输出交变电流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片;第一计算模块,用于根据所述第一石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第一响应信号计算频率变化初始值;第二计算模块,用于根据所述第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算频率变化修正值;第三计算模块,用于利用所述频率变化修正值修正所述频率变化初始值得到的频率变化目标值计算膜层厚度。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |