| 发明名称 | 非易失性存储单元的预测性预加热 | ||
| 摘要 | 一种使用热预调节将数据写至例如自旋力矩转移随机存取存储器(STRAM)存储单元的非易失性存储单元(120)的方法(180)和装置(106)。在一些实施例中，逻辑状态被写至与第一块地址(184)关联的未调节的非易失性第一存储单元。热预调节被同时施加于与响应第一块地址(186)选择的第二块地址关联的非易失性第二存储单元(188)，以使记录块地址是具有相对高概率成为在对非易失性第一存储单元的写操作之后的写操作中选择的块的地址。 | ||
| 申请公布号 | CN102422358B | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201080021203.9 | 申请日期 | 2010.03.25 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | Y·陈;H·李;H·H·刘;D·V·季米特洛夫;A·X·王;王小斌 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 一种对非易失性存储单元使用热预调节的方法，包括：将一逻辑状态写至与第一块地址关联的、未施加热预调节的非易失性第一存储单元；以及在写步骤期间，同时将热预调节施加于非易失性第二存储单元，所述非易失性第二存储单元关联于响应所述第一块地址而选择的第二块地址。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||