一种量子阱结构的宽谱激光器

摘要

本发明公开了一种可以呈现宽谱特性的量子阱激光器，属于半导体光电子领域。本发明的激光器包括依次层叠的N型电极、N型衬底、N型缓冲层、第一N型重掺杂层、第一无掺杂的有源区、第二N型重掺杂层、第二无掺杂的有源区、P型重掺杂层、P型接触层和P型电极。本发明的宽谱激光器在两个有源区中间引入异质结，其中异质结由重掺杂N层和本征掺杂P层组成。可以实现有源区是量子阱的宽谱激光器。

主权项

一种量子阱结构的宽谱激光器，其特征在于，该宽谱激光器由依次层叠的N型电极层(1)、N型衬底(2)、N型缓冲层(3)、第一N型重掺杂层(4)、第一无掺杂量子阱有源区层(5)、第二N型重掺杂层(6)、第二无掺杂量子阱有源区层(7)、P型重掺杂层(8)、P型接触层(9)和P型电极层(10)组成，所述第一N型重掺杂层(4)由AlGaAs材料构成。