发明名称 |
CMOS工艺、CMOS晶体管和AMOLED |
摘要 |
本发明的一种CMOS工艺包括步骤:S1、形成缓冲层;S2、形成非晶硅层;S3、沟道参杂P型离子和N型离子;S4、结晶化及LTPS patterning等步骤。一种CMOS TFT,PMOS及NMOS TFT沟道通过上述方法掺杂有P型离子和N型离子。本发明的AMOLED使用上述CMOS TFT作为驱动单元元件。有益效果在于,在沟道中掺杂N型离子,使NMOS及PMOSTFT的阈值电压向负极性方向移动,由于阈值电压差接近OV,导致NMOS及PMOS TFT的阈值电压间隔增加。因此,本发明的TFT及其制备方法应用于AMOLED器件可通过减少开电流,来减少消耗电流。 |
申请公布号 |
CN104167390A |
申请公布日期 |
2014.11.26 |
申请号 |
CN201410225839.5 |
申请日期 |
2014.05.27 |
申请人 |
四川虹视显示技术有限公司 |
发明人 |
赵大庸;郎丰伟 |
分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I |
代理机构 |
成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 |
代理人 |
周永宏 |
主权项 |
一种CMOS工艺,包括步骤: S1、形成缓冲层; S2、形成非晶硅层; S3、沟道参杂P型离子和N型离子; S4、结晶化及LTPS patterning; S5、形成栅极绝缘层及栅极电极; S6、掺杂LTPS源极区域及漏极区域; S7、形成层间绝缘层及接触孔; S8、形成源电极及漏电极。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)科新西街168号 |