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Anordnung (1) zur Projektion eines Musters von einer Maske (10) auf ein Substrat (30), umfassend:–eine Strahlungsquelle (2), die einen Lichtstrahl im extrem ultravioletten Wellenlängenbereich emittiert;–einen Kollektorspiegel (8) und eine Illuminationsoptik (6), die eine ersten Teil eines Strahlengangs bilden, um den Lichtstrahl auf die Maske (10) zu lenken;–die Maske (10), auf welcher das absorbierende und reflektierende Strukturelemente aufweisende Muster gebildet ist, so dass ein durch das Muster strukturierter Lichtstrahl reflektiert wird;–eine Projektionsoptik (12) mit einer Anordnung von reflektierenden Spiegeln, die einen zweiten Teil des Strahlgangs bilden, um den von der Maske (10) reflektierten Lichtstrahl auf das Substrat (30) zu fokussieren, so dass das Muster auf dem Substrat (30) abgebildet wird;–ein optisches Element (21), das in dem Strahlengang angeordnet ist, und das wenigstens zwei Bereiche (23–29, 53–59) unterschiedlichen Grades der Reflexion oder Transmission aufweist,–von welchen ein erster Bereich (23–29) einer ersten Position auf der Maske (10) und/oder auf dem Kollektorspiegel (8), und ein zweiter Bereich (53–59) einer von der ersten Position verschiedenen zweiten Position auf der Maske (10) und/oder auf dem Kollektorspiegel (8) aufgrund des Strahlengangs zugeordnet ist. |
