| 摘要 |
Verfahren und Systeme werden verwendet, um unerwünschte Ablagerungen in einer mit einem Halbleiterabscheidungssystem verbundenen Reaktionskammer zu reduzieren. Ein Reinigungsgas wird veranlasst, durch wenigstens einen Gasströmungspfad, der sich durch wenigstens einen Gasofen erstreckt, zu strömen, und das erhitzte Reinigungsgas kann zur Entfernung von wenigstens einem Teil der unerwünschten Ablagerungen aus der Reaktionskammer in eine Reaktionskammer einführt werden. |
