发明名称 Magnetisierbare Halbleiter und Oxide mit permanenter Magnetisierung, derenHerstellung und Verwendung
摘要 <p>Die Erfindung beschreibt die Herstellung und den Aufbau einer Anordnung mit mindestens einer Raumladungszone, bei der sich im Bereich der Raumladungszone magnetische Polaronen stabil ausbilden. Weiterhin beschreibt die Erfindung, die Integration und die Verwendung der Anordnung in einem Spin-FET, in einem Spin-Ventil und in einer Spin-LED.</p>
申请公布号 DE102013209278(A1) 申请公布日期 2014.11.20
申请号 DE201310209278 申请日期 2013.05.17
申请人 HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V. 发明人 SCHMIDT, HEIDEMARIE;KASPAR, TIM;BÜRGER, DANILO;SKORUPA, ILONA;FIEDLER, JAN
分类号 H01L29/82;H01L21/82;H01L29/76;H01L33/00;H01L43/08 主分类号 H01L29/82
代理机构 代理人
主权项
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