| 摘要 |
1. Покрытое изделие, содержащее:подложку, поддерживающую многослойное покрытие на своей главной поверхности, причем покрытие содержит низкоэмиссионное покрытие и слой, содержащий легированный гадолинием (Gd) оксид циркония, поверх низкоэмиссионного покрытия,при этом низкоэмиссионное покрытие содержит, двигаясь от подложки:первый диэлектрический слой,отражающий ИК-излучение слой, содержащий серебро, ивторой диэлектрический слой, ипри этом слой, содержащий легированный Gd оксид циркония, включает от примерно 1 до 20% Gd.2. Покрытое изделие по п. 1, причем слой, содержащий легированный Gd оксид циркония, является самым наружным слоем покрытия.3. Покрытое изделие по п. 1, причем покрытое изделие является термообработанным.4. Покрытое изделие по п. 1, причем слой, содержащий легированный Gd оксид циркония, содержит от примерно 5 до 17% Gd.5. Покрытое изделие по п. 1, причем слой, содержащий легированный Gd оксид циркония, содержит от примерно 5 до 15% Gd.6. Покрытое изделие по п. 1, причем покрытое изделие термообработано вместе с покрытием, и покрытие имеет результирующее сжимающее остаточное напряжение после термообработки.7. Покрытое изделие по п. 1, причем покрытие имеет сниженное по сравнению с покрытием без Gd растягивающее напряжение в слое, содержащем легированный Gd оксид циркония.8. Покрытое изделие по п. 1, причем слой, содержащий легированный Gd оксид циркония, имеет толщину от примерно 1 до 15 нм.9. Покрытое изделие по п. 1, причем слой, содержащий легированный Gd оксид циркония, имеет толщину от примерно 2,5 до 10 нм.10. Покрытое изделие по п. 1, причем слой, содержащий легированный Gd оксид циркония, имеет толщину от примерно 3 до 7 нм.11. Покрыт� |
