| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Magnetfeldsensorvorrichtung (10) zur Messung zumindest einer Magnetfeldvektorkomponente He, umfassend zumindest eine auf einem Chipsubstrat (12) angeordnete anisotrope magnetoresistive Widerstandseinrichtung (AMR-Widerstandseinrichtung) (14), wobei die Widerstandseinrichtung (14) eine Mehrzahl von magnetoresistiven AMR-Widerstandselementen (16) umfasst, die durch elektrische Leitungsstreifen (18) in Reihe kontaktiert sind. Jedem Widerstandselement (16) ist zumindest ein permanentmagnetisches Magnetisierungselement (20) mit einer Magnetisierungsachse (22) derart zugeordnet, so dass das Widerstandselement (16) von einem Vormagnetisierungsfeld H0 des Magnetisierungselements (20) in Richtung der Magnetisierungsachse (22) durchsetzt wird. Ein durch das Widerstandselement (16) fließender Messstrom Is von einem Kontaktbereich (24) zwischen erstem Leitungsstreifen (18a) und dem Widerstandselement (16) zu einem Kontaktbereich (26) zwischen dem Widerstandselement (16) und einem zweiten Leitungsstreifen (18b) weist eine mittlere Stromrichtungsachse (28) auf, die in einem vordefinierbaren Linearisierungswinkel α > 0° und α < 90° (30) zur Magnetisierungsachse (22) steht. Die Erfindung schlägt eine hochsensitive Magnetfeldsensorvorrichtung (10) vor, die kostengünstig in großen Mengen herstellbar ist. |
