| 摘要 |
本発明は、導電性底部プレート（２）と、前記導電性底部プレート（２）から離間され前記導電性底部プレート（２）に対して平行に配置された導電性上部プレート（２０）と、前記導電性底部プレート（２）と前記導電性上部プレート（２０）との間に形成された空間内で前記導電性底部プレート（２）上に配置された少なくとも１つのパワー半導体デバイス（３）と、前記パワー半導体デバイス（３）と前記導電性上部プレート（２０）との間で接触接続を提供するために、前記導電性底部プレート（２）と前記導電性上部プレート（２０）との間に形成された空間内に配置された少なくとも１つのプレスピン（５，７）とを含み、金属製保護プレート（１１）が、前記導電性底部プレート（２）に面している前記導電性上部プレート（２０）内面に設けられており、前記金属製保護プレート（１１）の材料は、前記導電性上部プレート（２０）の溶融温度よりも高い溶融温度を有している、パワー半導体モジュール（１）に関している。また本発明は、前述のパワー半導体モジュールを複数含み、前記複数のパワー半導体モジュールが、隣接する当該複数のパワー半導体モジュール間で相互に電気的に接続されて平行に配置されている、パワー半導体モジュールアセンブリに関している。 |
