Wafer mit einer Durchkontaktierung

摘要

Es wird ein Wafer mit einer Durchkontaktierung vorgeschlagen, wobei der Wafer eine Haupterstreckungsebene aufweist und der Wafer zur Durchkontaktierung eine vom Wafer umschlossene Leiterbahn umfasst, wobei die Leiterbahn eine erste Kontaktstelle an einer ersten Seitenfläche des Wafers leitend mit einer zweiten Kontaktstelle an der ersten Seitenfläche und/oder an einer der ersten gegenüberliegenden zweiten Seitenoberfläche verbindet, wobei die Leiterbahn in einer senkrecht zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Richtung formschlüssig mit dem Wafer verbunden ist.