| 摘要 |
Dünnschichtsensor mit: einer unteren isolierenden Schicht (2); einer Haftschicht (3a), die ein Metalloxidmaterial beinhaltet; einer Widerstandsschicht (3b), die ein Metall beinhaltet, wobei die Haftschicht (3a) und die Widerstandsschicht (3b) eine Vielschichtlage ausbilden; einer oberen isolierenden Schicht (6), wobei die untere isolierende Schicht (2), die Haftschicht (3a) und die Widerstandsschicht (3b) auf einem Substrat (1) gestapelt sind, wobei zumindest ein Teil der oberen isolierenden Schicht (6) Siliziumnitrid ist, und die untere isolierende Schicht (2) und die obere isolierende Schicht (6) eine Membran (10) über einem Hohlraum (1a) des Substrates (1) ausbilden; einem Aktivteil (4, 5), der durch Strukturierung der Vielschichtlage in eine vorbestimmte Gestalt in der Membran (10) ausgebildet ist; und einer Scheinschichtlage (11), die eine Vielschichtlage mit einer Schicht aus einem Metalloxidmaterial und einer weiteren Schicht aus einem Metall ist, wobei: das Metalloxidmaterial der Schicht und das Metall der weiteren Schicht der Scheinschichtlage (11) dasselbe wie das Metalloxidmaterial der Haftschicht (3a) bzw. das Metall der Widerstandsschicht (3b) sind; die Scheinschichtlage (11) von dem Aktivteil (4, 5) beabstandet und in enger Nähe zu dem Aktivteil (4, 5) auf der unteren isolierenden Schicht (2) innerhalb der Membran (10) angeordnet ist, ohne eine äußere Grenze der Membran (10) zu erreichen; die Scheinschichtlage (11) in derselben Ebene wie das Aktivteil (4, 5) liegt; und die Scheinschichtlage (11) das Aktivteil (4, 5) im Wesentlichen umgibt. |
