| 摘要 |
1. Способ восстановления температурно-временных условий генезиса алмазов типа IaAB либо смешанного типа Ib-IaA, основанный на вычислении по локальным концентрациям примесного азота в формах C, A и B в кристалле, измеренным, например, методом ИК-микроспектроскопии, локальных значений интегрального параметра Kt кинетики агрегации n-го порядка соответствующих азотных центров, определении температуры и времени генезиса, отличающийся тем, что дополнительно регистрируют изменение значений интегрального параметра агрегации соответствующих азотных центров Δ(Kt) по слоям роста кристалла, например, в какой-либо области тонкой алмазной пластины, пересекающей ростовые слои, а определение температуры T и времени Δt генезиса проводят из уравненияAexp(-E/kT)×Δt=Δ(Kt),где: k- постоянная Больцмана;Aи E- постоянная Аррениуса и энергия активации процесса агрегации C-, либо A-центров, соответствующие порядку кинетики агрегации n.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что допустимые пары значений температуры T и продолжительности Δt непрерывного роста данной области кристалла определяют по величине монотонного и однородного уменьшения интегрального параметра агрегации Δ(Kt) по слоям роста выбранной области.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что допустимые пары значений температуры Т и продолжительности Δt постростового пребывания кристалла алмаза в изотермической модели определяют по значению интегрального параметра агрегации соответствующих азотных центров (Kt)вблизи участка внешней нерастворенной поверхности кристалла, где A(Kt) принимается равным (Kt).4. Способ по п.1, отличающийся тем, что допустимые пары значений продолжительности Δt и температур |
