发明名称 |
太阳能电池的制造方法 |
摘要 |
本发明是提供一种太阳能电池的制造方法,其包含进行一激光掺杂选择性射极(LDSE)制程,以及先移除磷玻璃层(PSG),再移除掺质残留层。借以改善传统太阳能电池的制造方法的缺失,及达到提升太阳能电池光电转换效率的目的。 |
申请公布号 |
CN104157723A |
申请公布日期 |
2014.11.19 |
申请号 |
CN201310173559.X |
申请日期 |
2013.05.13 |
申请人 |
昱晶能源科技股份有限公司 |
发明人 |
颜贤成;吴家宏;陈易聪;柯震宇;洪光辉;陈玄芳;欧乃天;黄桂武;童智圣 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国 |
主权项 |
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包含下列步骤:(1)提供一半导体基板,其为一第一导电型半导体,且具有一第一表面及一第二表面;(2)利用一掺质材料于该半导体基板的该第一表面上形成一掺质材料层,令使在该半导体基板的该第一表面内形成一第二型半导体层,且该掺质材料在该半导体基板的该第二表面内形成一掺质溢镀层,该掺质溢镀层的该掺质材料于该半导体基板的该第二表面内形成一掺质残留层;(3)进行一激光掺杂制程于该掺质材料层,形成多个选择性射极于该第二型半导体层中;(4)移除该掺质材料层及该掺质溢镀层,以暴露具有该些选择性射极的该第二型半导体层及该掺质残留层;(5)移除该掺质残留层,以暴露该半导体基板的该第二表面;(6)形成一抗反射层于该第二型半导体层上;以及(7)形成一电极于该抗反射层中,该电极是接触该第二型半导体层。 |
地址 |
中国台湾苗栗县竹南镇新竹科学园区科北一路21号 |