用于在热处理过程中支撑半导体晶片的支撑环、热处理这种半导体晶片的方法及半导体晶片

摘要

本发明公开了一种用于在半导体晶片的热处理过程中支撑由单晶硅构成的半导体晶片的支撑环，包括：外侧表面、内侧表面、和从外侧表面延伸到内侧表面的用于放置半导体晶片的弯曲表面，如果弯曲表面被设计用于放置具有300mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于6000mm、不大于9000mm，或如果弯曲表面被设计用于放置具有450mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于9000mm、不大于14000mm。本发明还公开了一种用于这种半导体晶片的热处理的方法和一种由单晶硅构成的热处理后的半导体晶片。

主权项

一种由单晶硅构成的未有覆盖物的半导体晶片，具有“洁净区”，具有1×10¹³个原子/cm³‑8×10¹⁴个原子/cm³的氮浓度，且半导体晶片的前侧相对于直径为4mm的圆形测量窗具有小于20nm的纳米形貌特征、相对于直径为20mm的圆形测量窗具有小于40nm的纳米形貌特征。