| 发明名称 | 一种单晶硅衬底锗外延薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种单晶硅衬底锗外延薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：(1)以单晶硅片为衬底；(2)在单晶硅片衬底抛光面上利用磁控溅射方法沉积一层石墨过渡层，石墨过渡层厚度为20-100nm；(3)在石墨过渡层上利用化学气相沉积的方法制备锗薄膜，厚度为20-100μm。本发明的方法将石墨作为硅和锗之间的过渡层，不仅可以消除硅和锗之间的晶格失配，还可以减小由于热膨胀系数不匹配造成的锗薄膜质量的下降，降低锗薄膜的缺陷密度。本发明的方法利用磁控溅射方法、化学气相沉积法制备出锗薄膜，用于后续多节叠层电池的制作，大幅度的降低多节太阳能电池的生产成本，提高太阳能电池的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104157730A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201410352977.X | 申请日期 | 2014.07.23 |
| 申请人 | 华北电力大学 | 发明人 | 陈诺夫;牟潇野;杨博;辛雅焜;吴强;弭辙;付蕊;刘虎;仲琳;白一鸣;高征;刘海 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 陈波 |
| 主权项 | 一种单晶硅衬底锗外延薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)以单晶硅片为衬底；(2)在单晶硅片衬底抛光面上沉积一层石墨过渡层；(3)在石墨过渡层上利用化学气相沉积的方法制备锗薄膜。 | ||
| 地址 | 102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号 | ||