一种降低驱动电压的外延片，生长方法及LED结构

摘要

本申请公开了降低驱动电压的外延片，生长方法及LED结构，该外延片，其结构从下至上依次为：基板，GaN缓冲层，U型GaN层，n型GaN层，MQW发光层，p型AlGaN层，高温p型GaN层，所述的U型GaN层的厚度为U型GaN层形成平整表面时的厚度；所述的n型GaN层包括：掺杂Si的第一GaN层，在所述的第一GaN层上是掺杂Si的第二GaN层。本发明降低了驱动电压，将不掺杂的GaN层掺入Si或In元素，改变LED整体的电流扩展效果，使得N层、P层的阻值得到下降，从而降低驱动电压。

主权项

一种降低驱动电压的外延片，其结构从下至上依次为：基板，GaN缓冲层，U型GaN层，n型GaN层，MQW发光层，p型AlGaN层，高温p型GaN层，其特征在于：所述的U型GaN层的厚度为U型GaN层形成平整表面时的厚度；所述的n型GaN层包括：掺杂Si的第一GaN层，在所述的第一GaN层上是掺杂Si的第二GaN层。