| 发明名称 | 发光二极管的外延片及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了发光二极管的外延片及其制作方法，该发光二极管的外延片包括：掺杂Si的GaN层；组分恒定发光层，位于所述掺杂Si的GaN层之上；组分渐变发光层，位于所述组分恒定发光层之上；以及P型AlGaN层，位于所述组分渐变发光层之上；其中，所述组分渐变发光层包括GaN层和掺杂In的InGaN层，每个周期的所述InGaN层的In掺杂浓度不同。本申请相比现有技术，可调整发光层的电子填充状态的分布，调节发光层的能带，从而提高空穴和电子的复合效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104157760A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201410381826.7 | 申请日期 | 2014.08.06 |
| 申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 马海庆;张宇;徐迪 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人 | 何自刚 |
| 主权项 | 一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括：掺杂Si的GaN层；组分恒定发光层，位于所述掺杂Si的GaN层之上；组分渐变发光层，位于所述组分恒定发光层之上；以及P型AlGaN层，位于所述组分渐变发光层之上；其中，所述组分渐变发光层包括GaN层和掺杂In的InGaN层，每个周期的所述InGaN层的In掺杂浓度不同。 | ||
| 地址 | 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区 | ||