| 发明名称 | 金属硬掩模开口刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属硬掩模开口刻蚀方法，至少包括以下步骤：1）提供一基板，在所述基板表面自下向上依次形成金属硬掩模层、抗反射层及光阻层；2）进行光刻和显影，在所述光阻层中形成光刻图形以得到图案化光阻层；所述图案化光阻层包括凸起部分和凹陷部分，所述凹陷部分底部到达所述抗反射层表面；3）在所述图案化光阻层外表面沉积一隔离层，并对所述隔离层进行刻蚀，以在所述凸起部分的侧壁上形成预设厚度的侧墙；4）以所述图案化光阻层及所述侧墙为掩模，对所述抗反射层及金属硬掩模层进行刻蚀直至露出所述基板。本发明的金属硬掩膜开口刻蚀方法工艺简单，扩大了光刻工艺窗口，并可以改善光刻图形的线宽粗糙度。 | ||
| 申请公布号 | CN104157556A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201310180042.3 | 申请日期 | 2013.05.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种金属硬掩模开口刻蚀方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一基板，在所述基板表面自下向上依次形成金属硬掩模层、抗反射层及光阻层；2）进行光刻和显影，在所述光阻层中形成光刻图形以得到图案化光阻层；所述图案化光阻层包括凸起部分和凹陷部分，所述凹陷部分底部到达所述抗反射层表面；3）在所述图案化光阻层外表面沉积一隔离层，并对所述隔离层进行刻蚀，以在所述凸起部分的侧壁上形成预设厚度的侧墙；4）以所述图案化光阻层及所述侧墙为掩模，对所述抗反射层及金属硬掩模层进行刻蚀直至露出所述基板。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||