| 发明名称 | 包括具有改进的钝化层的III-N层堆叠的器件及相关联的制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种包括特征在于二维电子气的III-N层堆叠的器件，所述器件包括：III-N层；所述III-N层顶部的Al-III-N层；所述Al-III-N层顶部的钝化层，所述钝化层包括氮化硅(SiN)；其中所述钝化层包括Al-III-N界面处的全晶体子层并且所述全晶体子层的至少一部分包括Al和/或B；以及用于制造所述器件的相关联的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104160510A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201280071307.X | 申请日期 | 2012.10.12 |
| 申请人 | 埃皮根股份有限公司 | 发明人 | J·德鲁恩;S·迪格鲁特;M·杰曼 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈小刚 |
| 主权项 | 一种包括特征在于二维电子气的III‑N层堆叠的器件，所述器件包括：‑III‑N层；‑所述III‑N层顶部的Al‑III‑N层；‑所述Al‑III‑N层顶部的钝化层，所述钝化层包括氮化硅(SiN)；其中所述钝化层包括Al‑III‑N界面处的全晶体子层并且所述全晶体子层的至少一部分包括Al和/或B。 | ||
| 地址 | 比利时哈瑟尔特 | ||