| 发明名称 | “绝缘体上硅”(SOI)型衬底的活性硅层的薄化方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种使衬底的活性硅层(2)薄化的方法，所述衬底包括在活性层(2)和支持物(3)之间的绝缘层(4)，所述方法包括一个通过牺牲性热氧化形成牺牲氧化物层(20)并对所述层(20)进行去氧化从而对活性层(2)进行牺牲性薄化的步骤。所述方法值得注意的是其包括：使用氧化性等离子体在所述活性层(2)上形成互补氧化物层(5)的步骤，所述层(5)的厚度轮廓与氧化物层(20)的厚度轮廓互补，从而使得所述层(5)和所述牺牲硅氧化物层(20)的厚度之和在所处理的衬底的表面上是恒定的；和对该层(5)进行去氧化的步骤，以使活性层(2)以均匀的厚度薄化。 | ||
| 申请公布号 | CN104160475A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201380013727.7 | 申请日期 | 2013.01.30 |
| 申请人 | 索泰克公司 | 发明人 | F·博迪特;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 庞东成;李栋修 |
| 主权项 | 使“绝缘体上硅”(SOI)衬底(1)的活性硅层(2)薄化的方法，所述衬底旨在应用于电子学、光学和/或光电子学领域，并且包括隐埋在所述活性硅层(2)和支持物(3)之间的绝缘层(4)，所述方法包括至少一个下述步骤：通过利用牺牲性热氧化形成牺牲硅氧化物层(20)并对该层(20)进行去氧化，从而对所述活性硅层(2)进行牺牲性薄化，其特征在于，所述方法还包括：‑使用氧化性等离子体在所述活性硅层(2)上形成被称作“互补”氧化物层的氧化物层(5)的步骤，该互补氧化物层(5)的厚度轮廓与所述牺牲硅氧化物层(20)的厚度轮廓互补或基本互补，从而使得所述互补氧化物层(5)和所述牺牲硅氧化物层(20)的厚度之和在所处理的衬底(1)的整个表面上是恒定的或基本恒定的，‑对该互补氧化物层(5)进行去氧化的步骤，从而在所有这些步骤结束后使所述活性硅层(2)以均匀的厚度薄化。 | ||
| 地址 | 法国伯尔宁 | ||