传输门线路结构

摘要

本发明提供了一种传输门线路结构，包括：第一PMOS管，栅端接收第一数字信号，漏端接第一模拟信号端，源端接自身的衬底端；第二PMOS管，栅端接收第一数字信号，漏端接第二模拟信号端，源端接自身的衬底端并连接至第一PMOS管的源端；第一NMOS管，栅端接收第二数字信号，漏端接第一模拟信号端，源端接第一NMOS管的衬底端；第二NMOS管，栅端接收第二数字信号，漏端接第二模拟信号端，源端接自身的衬底端并连接至第一NMOS管的源端；其中，两个PMOS管具有第一阈值电压，两个NMOS管具有第二阈值电压，二者之和小于电源电压。本发明能够避免衬偏效应的影响，在电源电压较低时也能实现各种电位信号的传输。

主权项

一种传输门线路结构，其特征在于，包括：第一PMOS管，其栅端接收第一数字信号，其漏端接第一模拟信号端，其源端连接所述第一PMOS管的衬底端；第二PMOS管，其栅端接收所述第一数字信号，其漏端接第二模拟信号端，其源端连接所述第二PMOS管的衬底端并连接至所述第一PMOS管的源端；第一NMOS管，其栅端接收第二数字信号，其漏端接所述第一模拟信号端，其源端连接所述第一NMOS管的衬底端；第二NMOS管，其栅端接收所述第二数字信号，其漏端接所述第二模拟信号端，其源端连接所述第二NMOS管的衬底端并连接至所述第一NMOS管的源端；其中，所述第一PMOS管和第二PMOS管具有第一阈值电压，所述第一NMOS管和第二NMOS管具有第二阈值电压，所述第一阈值电压与第二阈值电压之和小于电源电压。