一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的源极、漏极、以及位于源极和漏极之间的栅极；位于所述半导体层上的与源级连接的源场板，所述源场板横跨过栅极、栅源区域及部分栅漏区域，并通过空气隔离；所述源场板的一端与源级相连，所述源场板与源级的连接是由两个或两个以上的金属场板并联而成的；所述源场板的另一端位于栅极与漏极之间的靠近栅极的半导体层上。本发明既能充分发挥源场板的电场调制作用，又能充分减小寄生栅源电容和寄生导通电阻，还能提高器件可靠性。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的源极、漏极、以及位于源极和漏极之间的栅极；位于所述半导体层上的与源级连接的源场板，其特征在于：所述源场板横跨过栅极、栅源区域及部分栅漏区域，并通过空气隔离；所述源场板的一端与源级相连，所述源场板与源级的连接是由两个或两个以上的金属场板并联而成的；所述源场板的另一端位于栅极与漏极之间的靠近栅极的半导体层上。