| 发明名称 | 浅沟槽结构的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的浅沟槽结构的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积一刻蚀掩模层；选择性刻蚀所述掩膜层和所述半导体衬底，在所述掩膜层在中形成一开口，并在所述半导体衬底中形成一浅沟槽；沉积一保护氧化层，所述保护氧化层覆盖所述浅沟槽和所述掩膜层；对所述保护氧化层进行第一退火处理；在所述保护氧化层上沉积一填充氧化层；对所述填充氧化层进行一第二退火处理；对所述填充氧化层进行一第三退火处理；进行研磨平坦化，去除所述填充氧化层和所述保护氧化层。本发明的浅沟槽结构的制备方法中，所述保护氧化层可以避免在进行所述第二退火处理的过程中所述浅沟槽结构下面的半导体衬底被氧化，从而提高形成的半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104157600A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201410403364.4 | 申请日期 | 2014.08.15 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 鲍宇;周晓强;桑宁波;雷通 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种浅沟槽结构的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积一刻蚀掩模层；选择性刻蚀所述掩膜层和所述半导体衬底，在所述掩膜层在中形成一开口，并在所述半导体衬底中形成一浅沟槽；沉积一保护氧化层，所述保护氧化层覆盖所述浅沟槽和所述掩膜层；对所述保护氧化层进行第一退火处理；在所述保护氧化层上沉积一填充氧化层；对所述填充氧化层进行一第二退火处理；对所述填充氧化层进行一第三退火处理；进行研磨平坦化，去除所述填充氧化层和所述保护氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||